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  • 18
    2025-08
    離子源弧光室的運(yùn)行參數(shù)調(diào)控對(duì)離子注入效果至關(guān)重要。通過(guò)調(diào)整弧光室內(nèi)的氣壓、溫度及放電功率,可改變等離子體密度與離子能量分布,滿足不同摻雜深度與濃度的工藝需求。
  • 18
    2025-08
    在高要求的光學(xué)鍍膜場(chǎng)景中,蒸發(fā)臺(tái)配件的加工精度影響更為顯著。真空腔體的密封配件若密封面光潔度不夠,會(huì)導(dǎo)致真空度不穩(wěn)定,使蒸鍍分子的自由程發(fā)生波動(dòng),影響薄膜的致密度。
  • 18
    2025-08
    在實(shí)際運(yùn)行中,注入機(jī)離子源燈絲的材質(zhì)選擇與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)至關(guān)重要。例如,鎢絲材質(zhì)憑借良好的耐高溫性,能在長(zhǎng)時(shí)間高溫環(huán)境下保持穩(wěn)定的電子發(fā)射能力,減少因燈絲損耗導(dǎo)致的離子束波動(dòng)。
  • 18
    2025-08
    焊接工藝對(duì)注入機(jī)離子源配件的密封性至關(guān)重要,若焊縫存在氣孔或虛焊,會(huì)導(dǎo)致真空腔體泄漏,破壞離子生成環(huán)境,增加設(shè)備停機(jī)概率。某半導(dǎo)體廠曾因弧光室配件焊接工藝缺陷,出現(xiàn)平均每周2次的非計(jì)劃停機(jī),經(jīng)改進(jìn)激光焊接參數(shù)后,停機(jī)頻率降至每月1次以內(nèi)。
  • 16
    2025-08
    光刻環(huán)節(jié)中,透鏡、掩模版等半導(dǎo)體設(shè)備配件的光學(xué)性能至關(guān)重要,其透光率與成像精度會(huì)直接影響電路圖案的轉(zhuǎn)移效果。某晶圓廠通過(guò)更換適配的光刻鏡頭配件,使圖案轉(zhuǎn)移偏差縮小,產(chǎn)品良率得到改善。
  • 14
    2025-08
    在封裝成型階段,丹東半導(dǎo)體設(shè)備通過(guò)控制模具溫度、壓力等參數(shù),促使封裝材料均勻填充,減少氣泡或裂紋等缺陷的出現(xiàn)。某封裝測(cè)試廠引入相關(guān)設(shè)備后,封裝良率提升約 4%,生產(chǎn)效率得到明顯改善。
  • 14
    2025-08
    在薄膜沉積環(huán)節(jié),丹東離子源配件的耐磨損性與抗腐蝕性能得到充分體現(xiàn)。面對(duì)高純度氣體與高溫環(huán)境的長(zhǎng)期作用,優(yōu)質(zhì)配件能保持穩(wěn)定的等離子體生成效率,確保薄膜厚度均勻性偏差控制在可接受范圍內(nèi)。
  • 14
    2025-08
    在維護(hù)過(guò)程中,需根據(jù)蒸發(fā)臺(tái)坩堝的材質(zhì)特性制定針對(duì)性方案,例如陶瓷材質(zhì)坩堝需避免劇烈溫度變化,金屬材質(zhì)則需關(guān)注表面氧化情況,確保維護(hù)操作不損傷坩堝本體。
  • 14
    2025-08
    設(shè)備就位時(shí),需使用專業(yè)吊裝工具,確保蒸發(fā)臺(tái)行星鍋主體與基礎(chǔ)平臺(tái)水平對(duì)齊,偏差控制在規(guī)定范圍內(nèi),以減少運(yùn)行時(shí)的振動(dòng)與噪音。
  • 14
    2025-08
    某芯片封裝廠為提升功率器件的擊穿電壓性能,在離子注入工序中引入大口徑離子源弧光室。該設(shè)備通過(guò)擴(kuò)大等離子體生成區(qū)域,實(shí)現(xiàn)單次注入面積提升 30%,同時(shí)保持離子束能量穩(wěn)定,不僅縮短了加工時(shí)間,還使器件擊穿電壓平均值提高 15%,滿足了高端功率半導(dǎo)體的性能要求。