您當(dāng)前的位置:  新聞資訊
  • 04
    2025-11
    材質(zhì)適配性不足是重要誘因之一。不同工況下對(duì)注入機(jī)離子源燈絲的材質(zhì)耐高溫性、抗疲勞性要求不同,若選用的材質(zhì)與實(shí)際工作溫度、電流負(fù)荷不匹配,長期處于超出適配范圍的環(huán)境中,燈絲易出現(xiàn)晶格結(jié)構(gòu)損傷,最終引發(fā)斷裂。
  • 04
    2025-11
    當(dāng)注入機(jī)離子源配件的離子源弧光室出現(xiàn)運(yùn)行異常時(shí),需按步驟開展故障排查。若出現(xiàn)離子束強(qiáng)度不足,先檢查氣體純度是否達(dá)標(biāo),再排查電極間隙是否符合標(biāo)準(zhǔn);若發(fā)生弧光熄滅故障,優(yōu)先確認(rèn)供電系統(tǒng)穩(wěn)定性,再檢查弧光室內(nèi)部是否存在短路或部件損壞。
  • 30
    2025-10
    在定制化實(shí)踐中,半導(dǎo)體設(shè)備配件會(huì)根據(jù)功率芯片的功率等級(jí)、封裝形式調(diào)整核心參數(shù)。針對(duì)高功率芯片的高溫制造場(chǎng)景,定制化方案會(huì)優(yōu)化蒸發(fā)臺(tái)坩堝的耐高溫材質(zhì)與離子源弧光室的散熱結(jié)構(gòu),同時(shí)匹配注入機(jī)離子源燈絲的運(yùn)行特性,減少工藝過程中的性能損耗。
  • 30
    2025-10
    丹東半導(dǎo)體設(shè)備的定制化方案聚焦結(jié)構(gòu)模塊化設(shè)計(jì),可根據(jù)不同蒸發(fā)臺(tái)配件的安裝需求,靈活調(diào)整蒸發(fā)臺(tái)行星鍋的接口規(guī)格與安裝尺寸。
  • 30
    2025-10
    丹東離子源配件的制造工藝聚焦細(xì)節(jié)把控,采用先進(jìn)的機(jī)械加工技術(shù)實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)尺寸的精細(xì)匹配,同時(shí)結(jié)合數(shù)控加工與人工校驗(yàn)的雙重模式,減少加工誤差。
  • 30
    2025-10
    在實(shí)際制造流程中,蒸發(fā)臺(tái)坩堝與注入機(jī)離子源配件的協(xié)同控制尤為關(guān)鍵。通過與離子源燈絲的配合,蒸發(fā)臺(tái)坩堝可精細(xì)調(diào)控材料蒸發(fā)速率,適配化合物半導(dǎo)體薄膜的特定厚度要求,滿足功率器件、光電子器件等不同產(chǎn)品的工藝標(biāo)準(zhǔn)。
  • 30
    2025-10
    在實(shí)際生產(chǎn)流程中,蒸發(fā)臺(tái)行星鍋通過優(yōu)化的機(jī)械結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)了多工位同步加工,大幅提升了芯片生產(chǎn)的批量處理能力。其與離子源弧光室的協(xié)同控制,能夠有效減少蒸發(fā)過程中材料的浪費(fèi),降低生產(chǎn)能耗,同時(shí)避免因薄膜分布不均導(dǎo)致的芯片性能偏差。
  • 27
    2025-10
    安裝與定位規(guī)范是基礎(chǔ)前提。離子源弧光室的安裝需嚴(yán)格遵循設(shè)備操作手冊(cè),確保與注入機(jī)離子源配件、注入機(jī)離子源燈絲的裝配間隙符合工藝要求,避免因定位偏差導(dǎo)致放電異常。
  • 27
    2025-10
    蒸發(fā)臺(tái)配件的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理性是基礎(chǔ)前提。蒸發(fā)臺(tái)行星鍋的轉(zhuǎn)速穩(wěn)定性、公轉(zhuǎn)與自轉(zhuǎn)比例設(shè)置,會(huì)直接影響晶圓表面接收蒸發(fā)粒子的均勻度。
  • 27
    2025-10
    制程參數(shù)匹配是選型核心。需根據(jù)不同制程的離子注入能量、劑量需求,確定注入機(jī)離子源燈絲的額定功率、電流承載范圍等關(guān)鍵參數(shù)。低制程工藝對(duì)離子束強(qiáng)度要求相對(duì)溫和,可選擇適配常規(guī)功率區(qū)間的燈絲...