您當(dāng)前的位置:  新聞資訊
  • 17
    2025-09
    在具體措施方面,首先需注重半導(dǎo)體設(shè)備配件的選型適配,例如引線鍵合工序中,焊頭配件需匹配芯片引腳材質(zhì)與鍵合工藝要求,避免因配件與工藝不兼容導(dǎo)致鍵合強(qiáng)度不足;塑封工序的模具配件需具備均勻的溫控性能,確保塑封料充分固化。
  • 17
    2025-09
    在功率半導(dǎo)體封裝環(huán)節(jié),丹東半導(dǎo)體設(shè)備可適配功率模塊的多引腳焊接、熱界面材料涂覆等工藝需求,通過(guò)穩(wěn)定的機(jī)械傳動(dòng)與參數(shù)監(jiān)控,確保封裝過(guò)程中焊點(diǎn)的可靠性與熱傳導(dǎo)效率,滿足功率半導(dǎo)體長(zhǎng)期運(yùn)行的耐用性要求。
  • 17
    2025-09
    丹東離子源配件通過(guò)優(yōu)化離子產(chǎn)生與傳輸效率,幫助質(zhì)譜分析設(shè)備在面對(duì)復(fù)雜樣品時(shí),依然能保持穩(wěn)定的離子輸出,減少因離子化不充分導(dǎo)致的分析誤差,為后續(xù)檢測(cè)環(huán)節(jié)提供優(yōu)質(zhì)的離子源基礎(chǔ),滿足不同行業(yè)對(duì)樣品定性、定量分析的嚴(yán)苛需求。
  • 13
    2025-09
    蒸發(fā)臺(tái)坩堝適配不同蒸發(fā)物料選擇指南是保障蒸發(fā)鍍膜工藝效率與質(zhì)量的核心參考,其關(guān)鍵價(jià)值在于根據(jù)各類蒸發(fā)物料的物理化學(xué)特性,匹配性能適配的坩堝材質(zhì)與規(guī)格,避免因適配不當(dāng)導(dǎo)致物料污染、坩堝損耗加劇或工藝參數(shù)失控等問(wèn)題。
  • 13
    2025-09
    當(dāng)前常用的蒸發(fā)臺(tái)行星鍋腔體密封性檢測(cè)方法包括壓力衰減法、氦質(zhì)譜檢漏法等。壓力衰減法通過(guò)向腔體內(nèi)充入一定壓力的氣體,靜置一段時(shí)間后監(jiān)測(cè)壓力變化,若壓力下降超出設(shè)定范圍,則表明腔體存在泄漏;氦質(zhì)譜檢漏法則利用氦氣作為示蹤氣體,通過(guò)質(zhì)譜儀檢測(cè)腔體外部氦氣濃度,定位微小泄漏點(diǎn),適用于對(duì)密封性要求較高的工藝場(chǎng)景。
  • 13
    2025-09
    環(huán)境參數(shù)控制是離子源弧光室運(yùn)行穩(wěn)定性保障的基礎(chǔ)。需實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)弧光室所在腔體的真空度,通過(guò)定期維護(hù)真空泵組、檢查密封部件密封性,確保真空環(huán)境符合弧光室工作要求,避免因空氣泄漏導(dǎo)致弧光放電異常
  • 13
    2025-09
    開(kāi)展蒸發(fā)臺(tái)配件故障排查時(shí),需遵循 “先外觀后功能、先靜態(tài)后動(dòng)態(tài)” 的基本思路。首先檢查配件外觀狀態(tài),如觀察加熱組件是否存在變形、開(kāi)裂,密封圈是否出現(xiàn)老化、破損,連接線路有無(wú)松動(dòng)、氧化等情況,這些直觀可見(jiàn)的異常往往是故障的直接誘因。
  • 13
    2025-09
    當(dāng)前主流的注入機(jī)離子源燈絲表面處理工藝包括真空鍍膜、離子濺射清洗、化學(xué)拋光等。真空鍍膜工藝通過(guò)在燈絲表面形成一層致密的耐高溫涂層,可有效隔絕空氣與離子侵蝕,降低燈絲氧化速率
  • 10
    2025-09
    在重離子束生成階段,注入機(jī)離子源配件中的離子發(fā)射電極需具備優(yōu)異的耐高溫與抗濺射性能,以應(yīng)對(duì)重離子轟擊產(chǎn)生的高溫環(huán)境,避免電極損耗過(guò)快導(dǎo)致離子束強(qiáng)度波動(dòng)。
  • 10
    2025-09
    從成膜質(zhì)量來(lái)看,高精度的噴嘴類半導(dǎo)體設(shè)備配件可實(shí)現(xiàn)沉積材料的均勻噴灑,避免因材料分布不均導(dǎo)致的膜厚偏差,有效提升膜層的平整度與一致性;加熱模塊類配件則能控制沉積環(huán)境溫度,確保材料在基底表面均勻結(jié)晶,減少因溫度波動(dòng)產(chǎn)生的膜層疏松、雜質(zhì)夾雜等問(wèn)題,提升膜層的電學(xué)性能與機(jī)械穩(wěn)定性。