不同鍍膜場景 蒸發(fā)臺坩堝選型與蒸發(fā)臺行星鍋參數(shù)調(diào)整

蒸發(fā)臺坩堝是半導體鍍膜工藝中適配不同物料的核心蒸發(fā)臺配件，其選型合理性與蒸發(fā)臺行星鍋的參數(shù)匹配度，直接影響薄膜沉積的均勻性與工藝穩(wěn)定性。在金屬鍍膜、氧化物鍍膜、半導體薄膜制備等不同場景中，蒸發(fā)臺坩堝需結(jié)合物料特性、溫度要求進行針對性選擇，同時通過調(diào)整蒸發(fā)臺行星鍋的運行參數(shù)，與注入機離子源配件等形成協(xié)同，滿足多樣化鍍膜需求。

金屬鍍膜場景中，蒸發(fā)臺坩堝優(yōu)先選用99.95%高純鉬材質(zhì)，其耐高溫性能適配1800℃以下的蒸發(fā)需求，可減少物料污染風險。對應的蒸發(fā)臺行星鍋需將公轉(zhuǎn)與自轉(zhuǎn)比例設定為3:1，轉(zhuǎn)速控制在8轉(zhuǎn)/分鐘左右，抑制陰影效應帶來的沉積偏差。

氧化物鍍膜場景下，氧化鋁材質(zhì)的蒸發(fā)臺坩堝更為適配，其化學穩(wěn)定性強，可耐受1750℃高溫，避免與氧化物物料發(fā)生反應。此時需適當提高蒸發(fā)臺行星鍋轉(zhuǎn)速至10-12轉(zhuǎn)/分鐘，通過加快物料受熱循環(huán)，提升薄膜致密性。

半導體薄膜制備場景中，氮化硼涂層石墨材質(zhì)的蒸發(fā)臺坩堝是常用選擇，其低雜質(zhì)釋放特性符合半導體工藝對純度的要求。蒸發(fā)臺行星鍋需采用緩速運行模式，保持公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)比例2:1，配合離子源弧光室的工作狀態(tài)，維持等離子體環(huán)境的穩(wěn)定性。

合理的蒸發(fā)臺坩堝選型與蒸發(fā)臺行星鍋參數(shù)調(diào)整，是適配不同鍍膜場景的關鍵，既能發(fā)揮各配件的協(xié)同效能，也能為半導體制造的穩(wěn)定開展提供支撐。