蒸發(fā)臺坩堝清潔流程 保障設備性能的實操步驟

蒸發(fā)臺坩堝作為半導體制造中晶圓鍍膜、材料提純等環(huán)節(jié)的核心配件，其內(nèi)壁潔凈度直接關聯(lián)半導體材料純度與工藝穩(wěn)定性，若長期殘留金屬離子、有機污染物或工藝殘渣，不僅會降低傳熱均勻性、影響蒸發(fā)效率，還可能導致晶圓鍍膜缺陷，因此規(guī)范執(zhí)行蒸發(fā)臺坩堝清潔流程，是維持設備穩(wěn)定性能、保障半導體工藝良率的關鍵舉措，同時也能為后續(xù)生產(chǎn)環(huán)節(jié)的合規(guī)性提供基礎保障。

開展蒸發(fā)臺坩堝清潔前，需先完成設備停機與冷卻操作，待坩堝溫度降至室溫后，使用半導體行業(yè)專用的聚四氟乙烯或陶瓷工具，輕輕清理內(nèi)壁附著的塊狀工藝殘渣，避免使用金屬工具刮傷坩堝內(nèi)壁，防止后續(xù)使用中出現(xiàn)物料粘連或雜質嵌入問題；隨后根據(jù)殘留污染物特性，選用符合半導體級標準的中性清洗劑（避免酸性或堿性過強的清洗劑損傷坩堝涂層或引入雜質），按比例與超純水混合制成清潔液，倒入坩堝后開啟設備低速攪拌功能，使清潔液充分浸潤內(nèi)壁，浸泡20-30分鐘以軟化頑固污染物。

清潔液浸泡完成后，用半導體專用軟毛刷對坩堝內(nèi)壁進行全面刷洗，重點清潔底部、邊角等易積垢區(qū)域，確保無污染物殘留；刷洗后用超純水多次沖洗蒸發(fā)臺坩堝內(nèi)壁，直至通過離子色譜檢測確認沖洗水中無清洗劑殘留與金屬離子；沖洗完畢后，將坩堝置于百級潔凈間內(nèi)，開啟設備自帶的真空烘干功能，或采用氮氣吹干方式，確保坩堝內(nèi)壁完全干燥，避免殘留水分影響半導體工藝；最后通過高倍顯微鏡檢查坩堝內(nèi)壁是否存在劃痕、涂層破損等異常，確認清潔達標后，方可記錄清潔信息并投入下次使用，通過標準化清潔流程，有效保障蒸發(fā)臺坩堝的穩(wěn)定運行性能。