離子注入是現(xiàn)代集成電路制造中的一種非常重要的技術，其利用離子注入機實現(xiàn)半導體的摻雜，即使用鎢絲作為陰極發(fā)射電子轟擊含有特定的雜質(zhì)元素的氣體分子，產(chǎn)生電離的特定雜質(zhì)原子經(jīng)靜電場加速后打到硅單晶圓片表面，并打入半導體內(nèi)部，改變導電特性并最終形成晶體管結構。

受制于發(fā)展歷史短，技術門檻高等多項條件限制。我國注入機離子源配件領域發(fā)展相對緩慢，自主率低，受國外擠壓較為明顯，同時在內(nèi)部，也出現(xiàn)過大大小小的問題，我國整體注入機離子源配件發(fā)展情況十分不樂觀亦是眾所周知的現(xiàn)狀。芯片行業(yè)經(jīng)過這幾年的全力發(fā)展，在技術上我們有了很大的進步。大力的扶持下，涌現(xiàn)出了很多優(yōu)良的半導體公司，他們在芯片行業(yè)的發(fā)展上，都發(fā)揮了力量，這是不可否認的。此前對大基金進行整頓以及近期重組科技部，我們可以從中看出我國在芯片行業(yè)健康發(fā)展上的決心。注入機離子源配件一個行業(yè)的發(fā)展，出現(xiàn)問題并不可怕，及時處理，不要“積少成多”，不要阻礙行業(yè)良性發(fā)展就是最好的結果。

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